SK海力士宣布：向HBM投资600亿美元

SK 集团的半导体部门 SK 海力士计划到 2028 年投资 103 万亿韩元（748 亿美元），凸显了该集团押注于其认为对其业务未来发展至关重要的领域。

SK 集团在周日的一份声明中表示，约 80%（即 82 万亿韩元）将用于投资高带宽内存芯片。SK 海力士的 HBM 芯片针对 Nvidia的人工智能加速器进行了优化。作为押注人工智能的一部分，SK 电信公司和 SK 宽带公司将在其数据中心业务上投资 3.4 万亿韩元。

该计划是在 SK 集团董事长崔泰源和约 20 名高管举行年度战略会议讨论仅次于三星的韩国第二大商业集团的发展方向之后制定的。在过去两天里，高管们进行了长达 20 个小时的马拉松式讨论，并就集团改革方式展开了辩论，该集团的业务还包括能源、化学品和电池。

今年的风险尤其高，因为崔泰源需要筹集 10 亿美元离婚和解金。投机者一直在押注他会采取措施推动该集团向其分居的妻子支付赔偿金。

高管们决定，SK 集团的目标是到 2026 年通过运营和业务改革创造 80 万亿韩元的收入。该目标还包括在三年内确保 30 万亿韩元的自由现金流，以将其债务权益比保持在 100% 以下。

据该声明称，该集团去年亏损 10 万亿韩元，预计今年的税前利润将达到 22 万亿韩元。该公司的目标是在 2026 年将这一数字提高到 40 万亿韩元。

虽然这是 SK 首次披露其 2028 年的投资计划，但 SK 海力士今年已宣布了一系列投资计划，其中包括斥资 38.7 亿美元在印第安纳州建造一个先进的封装工厂和 AI 产品研究中心。在国内，该公司斥资 146 亿美元建造一个新的内存芯片综合体，并继续进行其他国内投资，包括龙仁半导体集群。

SK Hynix 制定HBM 4芯片供应计划

韩国SK海力士公司上个月表示，正在制定明年的高容量存储器（HBM）芯片的供应计划，因为客户正在提前发布产品计划，以搭上人工智能热潮的顺风车。

在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子

全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。

该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 Nvidia  Corp. 提供了样品以进行性能评估。

今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。

此前，SK 海力士母公司董事长崔泰源在接受新闻采访时表示，如果需要产能，SK 海力士正在调查韩国和美国等其他国家建设高容量存储器 (HBM) 工厂可能性，HBM 对于核电站至关重要。崔泰源周四告诉记者，如果需要额外投资在韩国以外生产的 HBM，那么该公司“正在调查韩国和美国等其他国家生产的这些产品可能性”。

在选择新的芯片制造基地位置时，崔泰源强调，清洁能源采购是实现客户整个供应链脱碳目标的重要因素。此次采访是在该报主办的“亚洲未来”论坛间隙在东京进行。