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英诺赛科(02577.HK)再现重磅投资者,氮化镓半导体龙头优势巩固

昨天 16:09 18,592

在全球半导体产业蓬勃发展的浪潮中,氮化镓半导体龙头英诺赛科,凭借其独特的技术优势、广阔的市场前景以及强大的基石投资者阵容,使其一举成为了年终市场最为瞩目的关注点之一。

在此背景下,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司(以下简称“矽力杰”)于19日官宣拟投资英诺赛科2000万美金(上限),以取得该公司0.5%股权比例,引发了市场探讨。

而站在产业角度,矽力杰投资英诺赛科的事件,在氮化镓半导体行业的发展历程中或具有里程碑式意义。

重磅投资者再现,市场信心加码递增

按照招股书披露信息,英诺赛科引入了一批实力雄厚的基石投资者,如意法半导体、江苏国资基金等,这无疑为其上市之路增添了强大的助力,也向市场传递了积极的信号。

其中,意法半导体作为全球知名的半导体企业,通过认购5000万美元的股份,展现了对英诺赛科技术实力和市场前景的高度认可。意法半导体在半导体领域的深厚底蕴和广泛的市场渠道,有望与英诺赛科形成协同效应,共同开拓市场,提升双方的竞争力。

此外,有了江苏国有企业混合所有制改革基金、江苏苏州高端装备产业专项母基金及苏州东方创联投资管理有限公司等国内知名投资机构的加入,不仅能为英诺赛科提供了充足的资金支持,也体现了国内资本和政策对氮化镓半导体产业的支持和对英诺赛科发展潜力的看好。

据19日的公开消息,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司(以下简称“矽力杰”)拟投资英诺赛科2000万美金(上限)以获得0.5%股权比例的消息,进一步凸显了英诺赛科的投资价值。

据悉,矽力杰在半导体领域已深耕多年,在模拟集成电路和电源管理芯片方面积累了丰富的技术实力和市场资源。其产品广泛应用于消费电子、通讯设备、工业控制等多个领域,以高品质、高性能的电源管理解决方案在行业内树立了良好的口碑。

近年,矽力杰在车规级半导体领域确实有着诸多优势和出色的表现,其产品涵盖了多种车规级半导体,如直流转换芯片、交直流转换芯片、多路电源管理芯片、电池管理系统芯片、光感、马达驱动、音频功放以及电源模块等,能够满足汽车不同系统的需求。据公开资料,矽力杰 2024 年车用芯片全球市场规模预计达 6000 万美元,汽车芯片销售额占公司总销售额比例将超 10%,并且从中长期来看,目标营收占比将在 1/3 左右,显示出了强劲的增长势头和市场潜力。

矽力杰此番出手投资英诺赛科的举措,或将为双方带来了新的发展机遇,两者也有望携手在半导体产业中创造出更多的价值和创新成果。

从技术协同角度来看,矽力杰的电源管理技术可以与英诺赛科的氮化镓功率器件进行优化整合,开发出更高效、更智能的半导体解决方案,满足不同市场领域对高性能、低功耗电子产品的需求。例如,在工业控制领域,通过结合双方的技术优势,可以实现更精准的电源控制和更高的功率转换效率,提升设备的整体性能和稳定性。

在市场拓展方面去延伸,矽力杰广泛的客户群体和市场渠道将为英诺赛科的产品提供更多的推广机会,加速其市场渗透。同时,英诺赛科的氮化镓技术也将为矽力杰的产品升级和业务拓展提供新的动力,实现双方的互利共赢,共同提升在全球半导体市场的竞争力和市场份额。

技术实力铸就核心竞争力

值得一提,英诺赛科在氮化镓功率半导体领域展现出了卓越的技术实力,这也是其招股书的一大显著亮点。

作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业,英诺赛科在技术上实现了重大突破,引领了行业的发展潮流。其8英寸硅基氮化镓晶圆良率已超过95%,并突破了每月12,500 片晶圆的生产瓶颈,这一数据不仅彰显了其在生产工艺上的成熟与高效,更意味着英诺赛科能够以稳定且大规模的产能满足市场的强劲需求。

此外,公司在氮化镓功率器件的研发和生产方面积累了丰富的经验和深厚的技术底蕴,产品涵盖了从低电压到高电压的全谱系,能够广泛应用于多个领域。例如,其氮化镓分立器件在新能源汽车的电机驱动和电池充电系统中表现出色,有效提升了电能转换效率和系统性能;在 5G 通信基站的电源转换模块中,英诺赛科的产品凭借其高频、高效的特性,为基站的稳定运行提供了有力保障;在消费电子领域的快充应用方面,也凭借其快速充电和小型化的优势,赢得了众多知名品牌的青睐,市场份额逐步扩大。

与此同时,英诺赛科拥有较强的技术研发团队与专利累积优势。据招股书所示,截至2024年6月30日,公司在全球有319项专利及430项专利申请,涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。其氮化镓分立器件用于各种低中高压应用场景,产品研发范围覆盖15v至1,200v,不断的技术创新有助于英诺赛科保持行业领先地位,助力其持续开拓新的市场应用。

广阔市场前景引发遐想

半导体行业一直以来都是全球科技竞争的焦点领域,近年来,随着 5G 通信、人工智能、新能源汽车等新兴技术的蓬勃兴起,对半导体器件的性能、功耗和集成度提出了更高的要求。

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,凭借其优异的物理特性,如高电子迁移率、高击穿电场强度和高热导率等,在功率半导体领域展现出了巨大的应用潜力,被视为未来半导体产业发展的重要方向之一。

随着全球对节能减排、高效能源利用的需求日益迫切,氮化镓功率半导体市场迎来了黄金发展期。据市场研究机构预测,氮化镓功率半导体市场规模将在未来几年内呈现爆发式增长,而英诺赛科凭借其领先的技术和产能优势。以折算氮化镓分立器件收益计,2023年英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一,市场份额 33.7%。英诺赛科已站立在这一市场增长的风口之上。

从各行各业来看,比如在新能源汽车领域,各国政府纷纷出台政策推动电动汽车的普及,这将极大地带动对高性能功率半导体器件的需求。英诺赛科的产品能够满足电动汽车对高效充电、长续航里程以及高可靠性的要求,与众多汽车制造商建立了紧密的合作关系,有望在这一快速增长的市场中分得一杯羹。

在通信领域,5G基站建设的加速以及对设备功耗和体积的严格要求,使得氮化镓功率半导体成为了不可或缺的关键部件。英诺赛科的产品能够适应5G通信的高频、高功率特性,为通信设备制造商提供了优质的解决方案,市场潜力巨大。

此外,消费电子市场的不断升级,如智能手机、平板电脑等设备对快充功能的需求持续增长,也为英诺赛科的氮化镓产品提供了广阔的应用空间。

结尾部分

英诺赛科未来所展现出巨大的投资吸引力和发展潜力,并不止步于此。相信在不久的将来,英诺赛科将开启其在氮化镓功率半导体领域的新篇章,未来该公司或将继续为全球半导体产业的发展贡献重要力量。