SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本

格隆汇8月13日｜SK海力士宣布计划开发4F2结构(垂直栅)的DRAM，就像其竞争对手三星一样。SK海力士研究员指出，自1c DRAM商业化以来，极紫外(EUV)工艺的成本一直在快速上升，现在是时候质疑使用EUV制造DRAM是否有利可图了。